明年的新Ryzen和Vega将采用12nm LP制程

近日在Global Foundaries的技术会议上，AMD CTO Mark Papermaster明确表示，明年的新Ryzen和Vega将采用12nm LP制程。

我们知道，现在AMD的芯片全部采用GF的工艺，而此前GF曾宣布全新的12nm FD-SOI工艺计划2019年投入量产，GF表示，12nm FD-SOI工艺的性能等同于10nm FinFET，但是功耗和成本低于16nm FinFET，相比现有FinFET工艺性能提升15％，功耗降低50％，掩膜成本比10nm FinFET减少40％。

有意思的是，AMD的PPT里并没有指明12nm使用的是FinFET还是FD-SOI，理论上后者比前者要领先半代，如果真是FD-SOI，那AMD又得“闹革命”了！